品占有率全球第三，毅達資本投資英諾賽科”&pics=/uploadfile/2022/0314/thumb_451_299_20220314110016745.png&summary=''&desc=「毅」新聞| 氮化鎵功率產(chǎn)品占有率全球第三，毅達資本投資英諾賽科 )
騰訊QQ 品占有率全球第三，毅達資本投資英諾賽科”&pics=/uploadfile/2022/0314/thumb_451_299_20220314110016745.png&summary=「毅」新聞| 氮化鎵功率產(chǎn)品占有率全球第三，毅達資本投資英諾賽科 )
QQ空間 近日，毅達資本投資英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡稱“英諾賽科”） D輪融資。本輪企業(yè)融資規(guī)模近30億元，主要用于技術(shù)研發(fā)和高端設(shè)備采購等。
英諾賽科成立于2015年，是全球第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域的龍頭企業(yè)之一。公司技術(shù)實力在全球處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)能在國內(nèi)領(lǐng)先，在消費級市場中，快充產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)了市場的先導(dǎo)地位。
近年來，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)異的物理特性，給產(chǎn)業(yè)應(yīng)用帶來巨大的系統(tǒng)優(yōu)勢，應(yīng)用前景非常廣闊。隨著規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)成熟，氮化鎵將成為未來功率半導(dǎo)體的主流，在消費電子、數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源車等多個領(lǐng)域，氮化鎵需求將迎來爆發(fā)式增長。
英諾賽科的核心技術(shù)團隊由半導(dǎo)體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成，在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。公司還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家，用于進行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，同時填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。在非常短的時間內(nèi)，英諾賽科打破了國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)了國產(chǎn)氮化鎵芯片的崛起。根據(jù)Trendforce 2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三。
此外，英諾賽科被國家四部委列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，也是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項目。
毅達資本投資總監(jiān)吳志剛表示，近年來，硅器件性能已臨近材料極限，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體迎來快速發(fā)展，特別是在“雙碳”背景下，高頻、低開關(guān)損耗的氮化鎵正在加速與更多產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生交匯點，應(yīng)用前景非常廣闊。英諾賽科作為全球最大的氮化鎵功率器件制造企業(yè)之一，已經(jīng)擁有世界領(lǐng)先的成熟8英寸氮化鎵制造技術(shù)。隨著氮化鎵應(yīng)用市場快速發(fā)展，我們將繼續(xù)全力支持公司加速技術(shù)迭代，不斷提升業(yè)務(wù)規(guī)模和領(lǐng)先優(yōu)勢。
英諾賽科成立于2015年，是全球第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域的龍頭企業(yè)之一。公司技術(shù)實力在全球處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)能在國內(nèi)領(lǐng)先，在消費級市場中，快充產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)了市場的先導(dǎo)地位。
近年來，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)異的物理特性，給產(chǎn)業(yè)應(yīng)用帶來巨大的系統(tǒng)優(yōu)勢，應(yīng)用前景非常廣闊。隨著規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)成熟，氮化鎵將成為未來功率半導(dǎo)體的主流，在消費電子、數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源車等多個領(lǐng)域，氮化鎵需求將迎來爆發(fā)式增長。
英諾賽科的核心技術(shù)團隊由半導(dǎo)體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成，在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。公司還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家，用于進行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，同時填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。在非常短的時間內(nèi)，英諾賽科打破了國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)了國產(chǎn)氮化鎵芯片的崛起。根據(jù)Trendforce 2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三。
此外，英諾賽科被國家四部委列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，也是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項目。
毅達資本投資總監(jiān)吳志剛表示，近年來，硅器件性能已臨近材料極限，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體迎來快速發(fā)展，特別是在“雙碳”背景下，高頻、低開關(guān)損耗的氮化鎵正在加速與更多產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生交匯點，應(yīng)用前景非常廣闊。英諾賽科作為全球最大的氮化鎵功率器件制造企業(yè)之一，已經(jīng)擁有世界領(lǐng)先的成熟8英寸氮化鎵制造技術(shù)。隨著氮化鎵應(yīng)用市場快速發(fā)展，我們將繼續(xù)全力支持公司加速技術(shù)迭代，不斷提升業(yè)務(wù)規(guī)模和領(lǐng)先優(yōu)勢。
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