高端功率器件加速突圍”&pics=/uploadfile/2021/0409/thumb_451_299_20210409112754643.jpeg&summary=''&desc=「毅」新聞| 毅達資本完成對華瑞微A輪投資 助力國產(chǎn)高端功率器件加速突圍 )
騰訊QQ 高端功率器件加速突圍”&pics=/uploadfile/2021/0409/thumb_451_299_20210409112754643.jpeg&summary=「毅」新聞| 毅達資本完成對華瑞微A輪投資 助力國產(chǎn)高端功率器件加速突圍 )
QQ空間 近日，毅達資本完成對滁州華瑞微電子科技有限公司（以下簡稱：華瑞微）的A輪投資。
華瑞微是一家專注于功率器件研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。創(chuàng)始團隊擁有在中國龍頭晶圓廠近20年的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)管理經(jīng)驗，曾參與建設(shè)3座晶圓廠，創(chuàng)辦過芯片設(shè)計公司。其他核心成員數(shù)十人，也均有十年以上的晶圓廠或功率器件設(shè)計公司的從業(yè)經(jīng)驗。
作為一家科技創(chuàng)新類集成電路設(shè)計公司，華瑞微一直在自主設(shè)計、研發(fā)的道路上默默堅守，不斷提高自身的科技核心競爭力。公司通過了國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定，獲得“江蘇省專精特新（創(chuàng)新類）小巨人企業(yè)”“江蘇省科技型民營企業(yè)”等一系列稱號，并且和知名高校共建了聯(lián)合實驗室及研究生實訓(xùn)基地。
SiC是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢，特別適用于5G射頻器件和高電壓功率器件。體現(xiàn)在產(chǎn)品上面，就是尺寸降低，開關(guān)速度快，功耗相比于傳統(tǒng)功率器件大大降低。例如，在某些應(yīng)用場景下，用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并解決IGBT不能高頻工作的缺陷。
目前，華瑞微的產(chǎn)品正在從消費級功率器件向工業(yè)級、車規(guī)級功率器件邁進。超結(jié)MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定向充電樁客戶供貨，第三代SiC MOSFET已研發(fā)成功，小批量試產(chǎn)。
華瑞微電子董事長劉海波介紹，我國雖然是全球最大的功率半導(dǎo)體需求市場，但高端功率器件產(chǎn)品仍然被美、日、歐廠商所主導(dǎo)。在市場需求、政策、資金和技術(shù)多因素催化下，功率半導(dǎo)體在可預(yù)見的將來有望成為國產(chǎn)替代進度最快的細(xì)分領(lǐng)域之一。
他表示，本次融資將主要用于第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目。該項目已經(jīng)順利落戶安徽省滁州市南譙經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，也是南京市浦口區(qū)與滁州市南譙區(qū)簽署跨界一體化發(fā)展示范區(qū)合作框架協(xié)議后的首個項目。項目總投資10億元，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。
毅達資本項目負(fù)責(zé)人鐘曄表示，第三代化合物半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、工業(yè)電源等高端領(lǐng)域，相信華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目的建成投產(chǎn)將助力國內(nèi)高端功率器件持續(xù)健康發(fā)展。同時，該項目的順利實施，將對南京、滁州兩地的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動兩地進一步補齊補強上下游產(chǎn)業(yè)鏈，增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力，打造未來發(fā)展新優(yōu)勢。
目前，毅達資本對半導(dǎo)體/泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的投資涵蓋了從半導(dǎo)體設(shè)備到材料等近40家企業(yè)，其中分立器件細(xì)分賽道投資了三環(huán)集團（300408.SZ）、揚杰科技（300393.SZ）、捷捷微電（300638.SZ）、致瞻科技、應(yīng)能微等領(lǐng)先企業(yè)，形成了較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈布局。
作為一家科技創(chuàng)新類集成電路設(shè)計公司，華瑞微一直在自主設(shè)計、研發(fā)的道路上默默堅守，不斷提高自身的科技核心競爭力。公司通過了國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定，獲得“江蘇省專精特新（創(chuàng)新類）小巨人企業(yè)”“江蘇省科技型民營企業(yè)”等一系列稱號，并且和知名高校共建了聯(lián)合實驗室及研究生實訓(xùn)基地。
SiC是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢，特別適用于5G射頻器件和高電壓功率器件。體現(xiàn)在產(chǎn)品上面，就是尺寸降低，開關(guān)速度快，功耗相比于傳統(tǒng)功率器件大大降低。例如，在某些應(yīng)用場景下，用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并解決IGBT不能高頻工作的缺陷。
目前，華瑞微的產(chǎn)品正在從消費級功率器件向工業(yè)級、車規(guī)級功率器件邁進。超結(jié)MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定向充電樁客戶供貨，第三代SiC MOSFET已研發(fā)成功，小批量試產(chǎn)。
華瑞微電子董事長劉海波介紹，我國雖然是全球最大的功率半導(dǎo)體需求市場，但高端功率器件產(chǎn)品仍然被美、日、歐廠商所主導(dǎo)。在市場需求、政策、資金和技術(shù)多因素催化下，功率半導(dǎo)體在可預(yù)見的將來有望成為國產(chǎn)替代進度最快的細(xì)分領(lǐng)域之一。
他表示，本次融資將主要用于第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目。該項目已經(jīng)順利落戶安徽省滁州市南譙經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，也是南京市浦口區(qū)與滁州市南譙區(qū)簽署跨界一體化發(fā)展示范區(qū)合作框架協(xié)議后的首個項目。項目總投資10億元，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。
毅達資本項目負(fù)責(zé)人鐘曄表示，第三代化合物半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、工業(yè)電源等高端領(lǐng)域，相信華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目的建成投產(chǎn)將助力國內(nèi)高端功率器件持續(xù)健康發(fā)展。同時，該項目的順利實施，將對南京、滁州兩地的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動兩地進一步補齊補強上下游產(chǎn)業(yè)鏈，增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力，打造未來發(fā)展新優(yōu)勢。
目前，毅達資本對半導(dǎo)體/泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的投資涵蓋了從半導(dǎo)體設(shè)備到材料等近40家企業(yè)，其中分立器件細(xì)分賽道投資了三環(huán)集團（300408.SZ）、揚杰科技（300393.SZ）、捷捷微電（300638.SZ）、致瞻科技、應(yīng)能微等領(lǐng)先企業(yè)，形成了較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈布局。
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